Las declaraciones de Elon Musk sobre el potencial industrial de China han reavivado la atención en el mercado de semiconductores, luego de que la empresa ChangXin Memory Technologies (CXMT) diera a conocer progresos en un novedoso diseño de celdas de memoria. El multimillonario advirtió que la magnitud de la producción china podría reconfigurar la competencia en el sector, justo cuando fabricantes como Micron, Samsung y SK Hynix experimentaban descensos en sus cotizaciones bursátiles.
El movimiento en los mercados se produjo después de que CXMT, compañía china especializada en memorias, revelara avances en su arquitectura 4F² de DRAM durante un evento de la industria realizado el fin de semana en Shanghái. Su presidente, Cao Kanyu, indicó que la firma planea presentar hacia finales de 2026 un producto de memoria para servidores fundamentado en esa tecnología.
Este anuncio incrementó la inquietud entre los inversionistas sobre una posible presión a la baja en los precios de las memorias tradicionales. En la sesión posterior a la noticia, las acciones de Micron retrocedieron 3,8%, mientras que SanDisk cayó 5,9%. También se registraron pérdidas en Samsung Electronics, SK Hynix, Western Digital y Seagate.
Musk relacionó el temor bursátil con la capacidad de escala china
Musk respondió en X a una publicación que cuestionaba la magnitud de la venta de títulos. El dueño de Tesla y SpaceX sostuvo que la preocupación por la competencia de CXMT no debe limitarse al anuncio de una arquitectura, sino que debe considerar la velocidad con que China puede llevar una tecnología a producción masiva.
“Cuando China descubre cómo fabricar un producto, su capacidad para escalar suele ser mayor que la del resto del mundo combinado”, escribió.
Como antecedentes, citó dos industrias en las que las empresas chinas ampliaron con rapidez su producción: “Lo vimos, por ejemplo, con las baterías de litio y la energía solar”.
La publicación original señalaba que CXMT ya se convirtió en un competidor relevante en DRAM y que expande su capacidad de fabricación. A la vez, relativizaba un efecto inmediato del anuncio: desarrollar un diseño de memoria y fabricarlo a gran escala con rendimientos, confiabilidad, volumen y costos competitivos son etapas diferentes.
Musk tomó la dirección opuesta respecto de la lectura de corto plazo.
“Quizás la RAM sea diferente, pero la RAM era un producto básico de bajo margen hace apenas unos tres años”, afirmó.
Añadió que LP5 y LP6 —referencias a generaciones de memoria de bajo consumo— “están diseñadas bajo un estándar común que China parece estar resolviendo rápido”.
El avance de CXMT
La arquitectura 4F² apunta a aumentar la densidad de almacenamiento, es decir, a incluir más celdas de memoria en una misma superficie de silicio. CXMT planea utilizarla en un producto DDR5 para servidores. La firma no anunció en esa presentación una novedad equivalente para memoria de alto ancho de banda, conocida como HBM, uno de los segmentos de mayor interés para la infraestructura de inteligencia artificial.
Esa distinción fue uno de los argumentos de quienes consideraron exagerada la respuesta inicial de las bolsas. Micron, Samsung y SK Hynix suministran productos vinculados a la demanda de centros de datos y sistemas de inteligencia artificial, mientras que SanDisk tiene su actividad principal en memorias flash NAND, un mercado distinto del DRAM.
Sin embargo, el mensaje de Musk se concentró en el efecto que una mayor capacidad china podría tener sobre los segmentos más estandarizados. Su planteo fue que el desafío no reside únicamente en que CXMT produzca un nuevo componente, sino en su posibilidad de ampliar el volumen si logra dominar el proceso de fabricación.
La acción de Micron se encontraba aproximadamente 16% por debajo de su máximo histórico de junio, pese a que la empresa informó resultados trimestrales sólidos en septiembre. La caída ocurrió después de una etapa de fuerte interés del mercado por los fabricantes de memoria debido al gasto de las grandes compañías tecnológicas en infraestructura para inteligencia artificial.
El empresario diferenció las memorias convencionales de diseños más complejos
En su publicación, Musk admitió que existen tecnologías que pueden plantear barreras de fabricación más altas.
“Las arquitecturas HBM más nuevas y cosas como una capa de SRAM debajo de la lógica, y apilar RAM en 3D sobre la lógica mientras se encuentra una forma de mantener fría la lógica, serán más difíciles de resolver”, escribió.
HBM permite integrar capas de memoria y busca ofrecer una transferencia de datos más elevada para procesadores avanzados. SRAM, por su parte, es una memoria rápida utilizada en determinadas funciones de computación. La referencia de Musk a la refrigeración describe una de las dificultades técnicas de los diseños que apilan componentes, donde el calor puede limitar el rendimiento y la estabilidad.
La observación introduce un matiz en su diagnóstico. Para el empresario, las memorias RAM sujetas a estándares comunes podrían estar más expuestas a la expansión manufacturera china que las configuraciones de memoria y lógica con mayor complejidad de integración. No obstante, su mensaje no afirmó que las empresas chinas ya hayan resuelto esas alternativas avanzadas.
Fuente: Infobae